[发明专利]半导体器件的封装焊接结构在审
| 申请号： | 202110858946.1 | 申请日： | 2021-07-28 |
| 公开（公告）号： | CN113745189A | 公开（公告）日： | 2021-12-03 |
| 发明（设计）人： | 林志东;黄治浩;魏鸿基;郭佳衢 | 申请（专利权）人： | 厦门市三安集成电路有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/498 | 分类号： | H01L23/498;H01L29/737;H01L27/02 |
| 代理公司： | 厦门市首创君合专利事务所有限公司 35204 | 代理人： | 连耀忠 |
| 地址： | 361000 福建省厦门*** | 国省代码： | 福建;35 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种半导体器件的封装焊接结构，包括衬底、沟道层、势垒层、第一金属层、第二金属层、第一钝化层、第三金属层、上金属层和保护层，通过沟道层、势垒层、第一金属层、第二金属层、第一钝化层组合可用于ESD防护，该部分结构设置在第三金属层下方，同时在第三金属层及保护层上方设置上金属层。上金属层可以改善因保护层的蚀刻导致第三金属层表面粗糙而影响引线质量的问题，提高封装良率和器件可靠性，同时采用电镀工艺可以有效节省成本。该技术可以广泛应用在各种半导体器件的封装制程中，可以明显改善封装良率。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 封装 焊接 结构 | ||
【主权项】：
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