[发明专利]双面散热的MOSFET封装结构及其制造方法在审
| 申请号： | 202110859933.6 | 申请日： | 2021-07-28 |
| 公开（公告）号： | CN113451244A | 公开（公告）日： | 2021-09-28 |
| 发明（设计）人： | 谢文华;任炜强 | 申请（专利权）人： | 深圳真茂佳半导体有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/367 | 分类号： | H01L23/367;H01L23/31;H01L29/78;H01L21/56 |
| 代理公司： | 北京维正专利代理有限公司 11508 | 代理人： | 朱鹏程 |
| 地址： | 518000 广东省深圳市南*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 涉及一种双面散热的MOSFET封装结构及其制造方法，结构包括芯片主体、第一散热载片、封装胶体及第二散热载片。芯片主体翻转并接合于第一散热载片上，芯片主体的源极垫与柵极垫分别导通到第一散热载片的源极岛与柵极岛;封装胶体形成在第一散热载片上;封装胶体开设有连通到漏极层的第一限位孔以及在漏极层以外的第二限位孔,连通到第一散热载片的漏极岛;第二散热载片翻转并贴合在封装胶体上，第二散热载片的第一漏极柱插接于第一限位孔，以导通漏极层与第二散热载片，第二漏极柱插接于第二限位孔，以导通第二散热载片与第一散热载片的漏极岛。本发明的双面散热MOSFET封装结构具有器件双面的热容量高、在瞬间大功率的冲击下温升低和芯片内晶体管不容易过热烧毁的效果。 | ||
| 搜索关键词： | 双面 散热 mosfet 封装 结构 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
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