[发明专利]硅片及制备方法、电池片、电池切片、电池串及光伏组件在审
申请号: | 202110860560.4 | 申请日: | 2021-07-28 |
公开(公告)号: | CN113921639A | 公开(公告)日: | 2022-01-11 |
发明(设计)人: | 陈道远;王樱;周艳方 | 申请(专利权)人: | 上海晶澳太阳能科技有限公司;晶澳(扬州)太阳能科技有限公司 |
主分类号: | H01L31/05 | 分类号: | H01L31/05;H01L31/06;H01L31/0224;H01L31/18;H01L21/02;B28D5/04 |
代理公司: | 北京市万慧达律师事务所 11111 | 代理人: | 张一帆 |
地址: | 201401 上海市*** | 国省代码: | 上海;31 |
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摘要: | 本发明公开一种硅片及制备方法、电池片、电池切片、电池串及光伏组件。单晶硅片包括硅片主体和由硅片主体的边缘向外延伸的延展边,硅片主体为直角正方形切片或圆角正方形切片,延展边呈平行于硅片主体的边缘的带状结构,延展边用于在焊接时搭接于相邻的单晶硅片的下方。通过将延展边搭接于相邻的电池片或电池切片的下方,减少片间隙,利于提高电池片或电池切片的排布密度,提高光伏组件的效率。由于相邻的电池片或电池切片遮挡延展边而非硅片主体,这增加了参与发电的电池片或电池切片的面积,利于提升光伏组件的功率。 | ||
搜索关键词: | 硅片 制备 方法 电池 切片 组件 | ||
【主权项】:
暂无信息
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的