[发明专利]一种带有直通选择结构的GaAs自偏置低噪声放大器

摘要

本发明公开一种带有直通选择结构的GaAs自偏置低噪声放大器，应用于电子通信技术领域，针对现有放大器电路输入信号在幅度较大的时候会出现压缩情况，从而引入非线性效应，影响信号完整性的问题，本发明对传统的低噪声放大器进行了改良，使得放大器可以在放大器与直通之间进行选择，同时在选择直通的时候放大器利用电源管理结构断电以确保低功耗及电路稳定。电路采用自偏置结构并由单电压控制放大/直通的选择，这种方案解决了射频前端系统中放大器与直通的可重构的难题，同时减少了电路的供电口，提升了集成度，并通过选择级间匹配的方式实现了正斜率增益，使得电路更加适合大多数对增益平坦度要求较高的系统应用。