[发明专利]用于防止块提升的NAND闪存块架构增强

摘要

本申请涉及NAND闪存块架构增强以防止块提升。公开一种三维存储器装置。在一个实施例中，公开一种装置，所述装置包括：源极板；插塞，其在所述源极板上制造或部分地形成于所述源极板中；堆叠，其形成于衬底及插塞上，所述堆叠包括交替的绝缘层及导电层，及延伸穿过所述绝缘层及导电层的存储器单元的沟道材料串；由一种工艺形成的第一组支柱，其延伸穿过所述堆叠，所述工艺包含蚀刻所述交替的绝缘层及导电层，及将支柱材料沉积在其中，其中所述第一组支柱中的每个支柱在多个插塞中的相应插塞顶上终止；及由一种工艺形成的第二组支柱，其延伸穿过所述堆叠，所述工艺包含蚀刻所述交替的绝缘层及导电层，及将支柱材料沉积在其中，其中所述第二组支柱中的每个支柱在所述源极板中终止。