[发明专利]半导体器件在审
| 申请号： | 202110862180.4 | 申请日： | 2021-07-29 |
| 公开（公告）号： | CN114068719A | 公开（公告）日： | 2022-02-18 |
| 发明（设计）人： | 刘庭均;郑朱希;马在亨;李南玹 | 申请（专利权）人： | 三星电子株式会社 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L27/088 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人： | 程丹辰 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 提供了一种半导体器件，其包括具有中心区和外围区的衬底、在中心区上的集成电路结构、以及在外围区上并围绕中心区的第一结构，其中第一结构的一部分包括：第一鳍结构，由衬底中的器件隔离区限定；第一电介质层，覆盖第一鳍结构的上表面和侧表面以及器件隔离区的上表面；在第一鳍结构上的第一栅极结构，第一栅极结构包括第一栅极导电层、覆盖第一栅极导电层的下表面和侧表面的第一栅极电介质层以及在第一栅极导电层的侧壁上的第一栅极间隔物层；以及第一绝缘结构，覆盖第一电介质层和第一栅极结构。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 | ||
【主权项】：
暂无信息
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