[发明专利]具有双金属控制栅的半浮栅晶体管的制造方法在审
| 申请号： | 202110862323.1 | 申请日： | 2021-07-29 |
| 公开（公告）号： | CN113643981A | 公开（公告）日： | 2021-11-12 |
| 发明（设计）人： | 杨志刚;冷江华;刘珩;关天鹏 | 申请（专利权）人： | 上海华力集成电路制造有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/336 | 分类号： | H01L21/336;H01L29/788 |
| 代理公司： | 上海浦一知识产权代理有限公司 31211 | 代理人： | 郭四华 |
| 地址： | 201203 上海市浦*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种具有双金属控制栅的半浮栅晶体管的制造方法，栅极结构的形成工艺包括：步骤一、在半导体衬底上形成半浮栅结构。步骤二、形成由第二栅介质层和第二多晶硅层叠加而成的伪栅极结构；伪栅极结构覆盖第一金属控制栅、控制栅间介质层和第二金属控制栅的形成区域并呈一个整体结构。步骤三、将伪栅极结构替换为由第三栅介质层和第三金属栅叠加形成的金属栅块。步骤四、进行刻蚀工艺将金属栅块分割成第一和第二金属控制栅。步骤五、在控制栅间介质层的形成区域形成所述控制栅间介质层。本发明不需要对金属栅的栅介质层进行化学机械研磨，能降低工艺难度且和现有工艺平台如28HK平台完全兼容。 | ||
| 搜索关键词： | 具有 双金属 控制 半浮栅 晶体管 制造 方法 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
