[发明专利]光刻材料的返工方法及衬底的光刻方法在审
| 申请号： | 202110863718.3 | 申请日： | 2021-07-29 |
| 公开（公告）号： | CN113594026A | 公开（公告）日： | 2021-11-02 |
| 发明（设计）人： | 马立飞;马芳;王保光;李铭 | 申请（专利权）人： | 上海华力微电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/027 | 分类号： | H01L21/027;H01L21/67 |
| 代理公司： | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人： | 周耀君 |
| 地址： | 201315*** | 国省代码： | 上海;31 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明提供了一种光刻材料的返工方法及衬底的光刻方法。对返工衬底上形成有包括第一材料层、第二材料层和第三材料层的三层光刻材料时或对返工衬底上形成有三层光刻材料中的第一材料层和第二材料层时，采用第一返工工序进行返工。对返工衬底仅形成有三层光刻材料中的第一材料层时，当第一材料层的厚度大于等于预设厚度时，采用第一返工工序或第二返工工序；当第一材料层的厚度小于预设厚度时，采用第二返工工序。该方法对于三层光刻材料中的任何一层存在异常，或是三层光刻材料完全形成且完成图形化后存在异常，都可以进行返工修复，不再需要人为判断异常原因，即可直接进行返工处理，实现了返工过程的自动化、标准化。 | ||
| 搜索关键词： | 光刻 材料 返工 方法 衬底 | ||
【主权项】：
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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