[发明专利]半导体结构及其形成方法

摘要

一种半导体结构及其形成方法，其中结构包括衬底，衬底，衬底包括相邻的第一区和第二区；分别位于第一区和第二区上的若干沟道层；位于相邻沟道层之间的侧墙；位于堆叠的若干沟道层两侧的源漏掺杂层；位于衬底上的栅极结构，栅极结构包围若干沟道层，且栅极结构横跨第一区和第二区；位于衬底上的介质层，介质层覆盖栅极结构的侧壁，且介质层的顶部表面高于栅极结构的顶部表面，以使得在介质层内具有导电开口，导电开口暴露出栅极结构的顶部表面；位于导电开口内的导电层，导电层连接位于第一区和第二区上的栅极结构。通过该半导体结构能够简化位于第一区上的栅极结构和位于第二区上的栅极结构之间的电连接结构，进而简化工艺步骤，降低工艺难度。