[发明专利]半导体器件的制备方法在审
| 申请号： | 202110865224.9 | 申请日： | 2021-07-29 |
| 公开（公告）号： | CN113594031A | 公开（公告）日： | 2021-11-02 |
| 发明（设计）人： | 董立群;张磊;顾珍;陈彩云;王奇伟 | 申请（专利权）人： | 上海华力微电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/28 | 分类号： | H01L21/28;H01L27/146;H01L29/423 |
| 代理公司： | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人： | 周耀君 |
| 地址： | 201315*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种半导体器件的制备方法，包括：提供衬底，所述衬底中形成有光电二极管区和浮动扩散区；在所述衬底上形成图形化的掩膜层；以及，以所述图形化的掩膜层为掩模刻蚀所述衬底的部分深度，以在所述衬底内形成位于所述光电二极管区和所述浮动扩散区之间的栅极沟槽，所述栅极沟槽的至少部分深度采用循环刻蚀工艺形成，所述循环刻蚀工艺包括循环进行的第一刻蚀工艺和第二刻蚀工艺，所述第一刻蚀工艺用于刻蚀所述衬底，所述第二刻蚀工艺用于刻蚀所述第一刻蚀工艺中形成的聚合物，所述栅极沟槽采用所述循环刻蚀工艺形成的部分的侧壁垂直；本发明以减少白色像素的产生，提高器件的电性能。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 制备 方法 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
