[发明专利]一种高熵二硼化物-碳化硅复相陶瓷、制备方法及其应用有效
| 申请号： | 202110866044.2 | 申请日： | 2021-07-29 |
| 公开（公告）号： | CN113698209B | 公开（公告）日： | 2023-01-06 |
| 发明（设计）人： | 王东;冉松林;丁祥;金星;李庆归 | 申请（专利权）人： | 安徽工业大学科技园有限公司 |
| 主分类号： | C04B35/573 | 分类号： | C04B35/573;C04B35/58;C04B35/626;C04B35/645 |
| 代理公司： | 合肥昊晟德专利代理事务所(普通合伙) 34153 | 代理人： | 王林 |
| 地址： | 243000 安徽省马鞍山市经*** | 国省代码： | 安徽;34 |
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| 摘要： |
本发明涉及复相陶瓷技术领域，具体涉及一种高熵二硼化物‑碳化硅复相陶瓷、制备方法及其应用；该复相陶瓷包括如下摩尔组分的混合料：过渡金属碳化物(碳化钛、碳化锆、碳化铪、碳化铌、碳化钽、碳化钒、碳化铬、碳化钼、碳化钨)中的5～9种，每种0～1份，碳化硼粉2.5～9份，硅粉7.5～18份，碳化硅粉0～27份；该高熵二硼化物‑碳化硅复相陶瓷密度＜5.3g/cm |
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| 搜索关键词： | 一种 高熵二硼化物 碳化硅 陶瓷 制备 方法 及其 应用 | ||
【主权项】：
暂无信息
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