[发明专利]存储器件及存储器件的制造方法在审
| 申请号： | 202110869975.8 | 申请日： | 2021-07-30 |
| 公开（公告）号： | CN115132730A | 公开（公告）日： | 2022-09-30 |
| 发明（设计）人： | 冈岛睦;大寺泰章;中西务 | 申请（专利权）人： | 铠侠股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L27/108 | 分类号： | H01L27/108;H01L21/8242 |
| 代理公司： | 北京市中咨律师事务所 11247 | 代理人： | 张轶楠;段承恩 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 提供存储器件及其制造方法。实施方式的存储器件包括：电路(CC)，其设置在半导体基板(9)的第1面上，包括第1接触部(53)；氧化铝层(63)，其在与第1面垂直的方向上设置在基板(9)的上方；存储单元(MC)，其包括设置在氧化铝层(63)内的电容器(10)；导电层(61)，其在第1方向上设置在基板(9)与氧化铝层(63)之间，与存储单元(MC)电连接；第1绝缘层(60)，其在第1方向上设置在导电层(61)与基板(9)之间；第2绝缘层(80)，其在与基板(9)的表面平行的第2方向上与氧化铝层(63)相邻，在第1方向上设置在基板(9)的上方；以及第2接触部(70)，其设置在第2绝缘层(80)内，在第1方向上设置在第1接触部(53)的上方，将存储单元(MC)电连接于第1接触部(53)。 | ||
| 搜索关键词： | 存储 器件 制造 方法 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
