[发明专利]致密性的表征方法有效
| 申请号： | 202110872477.9 | 申请日： | 2021-07-30 |
| 公开（公告）号： | CN113643996B | 公开（公告）日： | 2023-10-27 |
| 发明（设计）人： | 张云静;石泉;刘军;李国梁;魏强民 | 申请（专利权）人： | 长江存储科技有限责任公司 |
| 主分类号： | H01L21/66 | 分类号： | H01L21/66 |
| 代理公司： | 北京派特恩知识产权代理有限公司 11270 | 代理人： | 高洁;张颖玲 |
| 地址： | 430074 湖北省武*** | 国省代码： | 湖北;42 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本申请实施例公开了一种致密性的表征方法，包括：提供具有预设厚度范围的薄膜样品和对照薄膜样品，其中，所述薄膜样品和对照薄膜样品分别包括待检测的膜层和对照待检测的膜层；利用预设条件分别对所述薄膜样品和所述对照薄膜样品进行刻蚀；在进行刻蚀的过程中，获取多幅所述薄膜样品的电子能量损失图谱和多幅所述对照薄膜样品的电子能量损失图谱；利用多幅所述薄膜样品的电子能量损失图谱和多幅所述对照薄膜样品的电子能量损失图谱，确定所述薄膜样品的致密度和所述对照薄膜样品的致密度的关系。 | ||
| 搜索关键词： | 致密 表征 方法 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
