[发明专利]一种沟槽形貌监控方法、结构器件在审
| 申请号： | 202110873012.5 | 申请日： | 2021-07-30 |
| 公开（公告）号： | CN113643997A | 公开（公告）日： | 2021-11-12 |
| 发明（设计）人： | 王万礼;李长亮;朱丽雅;陈海洋 | 申请（专利权）人： | 天津环鑫科技发展有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/66 | 分类号： | H01L21/66;H01L23/544;H01L21/67 |
| 代理公司： | 天津诺德知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 12213 | 代理人： | 栾志超 |
| 地址： | 300384 天津市滨海新区*** | 国省代码： | 天津;12 |
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| 摘要： | 一种沟槽形貌监控方法，步骤包括：在衬底硅片上制作沟槽并在沟槽表面氧化生长一层氧化层；再在氧化层表面制作第一测试电极；在第一测试电极与预制在衬底远离沟槽一侧表面的第二测试电极之间进行电压测试，以测得氧化层的击穿电压值；将测得的氧化层的击穿电压值与氧化层的本征击穿电压值进行比对，以判断氧化层的厚度是否均匀，进而可判定与氧化层紧贴设置的沟槽的形貌是否符合标准。还提出一种采用该沟槽形貌监控方法获得的易于沟槽形貌监控的结构器件。本发明仅通过测试沟槽内氧化层的击穿电压即可间接判断沟槽形貌情况，不仅测试结果准确且可监测效率高，且再现检测率高。同时根据这一监控方法获得的沟槽形貌结构稳定，并与实际产线工艺兼容。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 沟槽 形貌 监控 方法 结构 器件 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
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