[发明专利]一种具有低N面串联接触电阻的半导体激光器在审
| 申请号： | 202110873942.0 | 申请日： | 2021-07-30 |
| 公开（公告）号： | CN113659438A | 公开（公告）日： | 2021-11-16 |
| 发明（设计）人： | 林涛;解佳男;穆妍;孙婉君;李亚宁 | 申请（专利权）人： | 西安理工大学 |
| 主分类号： | H01S5/30 | 分类号： | H01S5/30;H01S5/02 |
| 代理公司： | 北京国昊天诚知识产权代理有限公司 11315 | 代理人： | 杨洲 |
| 地址： | 710048*** | 国省代码： | 陕西;61 |
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| 摘要： | 一种具有低N面串联接触电阻的半导体激光器，包括从上至下依次设置的：P面电极，P型欧姆接触层，P型限制层，上波导层，量子阱，下波导层，N型限制层，N型缓冲层，N型衬底，N型重掺杂层，N面电极。本发明具有低N面串联接触电阻的半导体激光器，采用在N型衬底上制备一层N型重掺杂层，该重掺杂层与N面复合金属电极形成良好欧姆接触使其具有低N面串联接触电阻，可解决长期以来N型衬底无法同时保证重掺杂和低缺陷、低杂质光吸收的问题，可以有效解决N面电极接触电阻大的问题。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 具有 串联 接触 电阻 半导体激光器 | ||
【主权项】：
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