[发明专利]一种用于降低大尺寸直拉单晶硅片缺陷的拉制方法在审
| 申请号： | 202110878710.4 | 申请日： | 2021-08-02 |
| 公开（公告）号： | CN113604870A | 公开（公告）日： | 2021-11-05 |
| 发明（设计）人： | 刘立中;王军磊;王艺澄 | 申请（专利权）人： | 包头美科硅能源有限公司;江苏美科太阳能科技有限公司 |
| 主分类号： | C30B15/20 | 分类号： | C30B15/20;C30B15/02;C30B29/06 |
| 代理公司： | 南京利丰知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 32256 | 代理人： | 周琪 |
| 地址： | 014010 内蒙古自治区*** | 国省代码： | 内蒙古;15 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种用于降低大尺寸直拉单晶硅片缺陷的拉制方法，包括将原生硅料和回收料按照2：1的比例投料；然后进行抽空捡漏、全熔稳定，将坩埚内的硅料熔化，待所述硅料完全熔化后，将功率降至引晶功率，然后将所述坩埚转开至引晶转速稳定熔体；最后高温熔接，采用Dash缩颈排除位错法引晶、放肩、转肩、等径，手动控制晶体等径生长至所需长度，待直径控制均匀、拉速稳定后自动控制晶体生长、收尾以及停炉。本发明的优点是可以明显减少单晶头部空位团，降低头部氧含量，减少大尺寸直拉单晶硅片的缺陷，提高其质量。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 用于 降低 尺寸 单晶硅 缺陷 拉制 方法 | ||
【主权项】：
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