[发明专利]半导体装置在审
| 申请号： | 202110878854.X | 申请日： | 2021-08-02 |
| 公开（公告）号： | CN114242712A | 公开（公告）日： | 2022-03-25 |
| 发明（设计）人： | 矶部康裕;洪洪;吉冈启;杉山亨;小林仁;大野哲也;岩井正明;细川直范;小野村正明 | 申请（专利权）人： | 株式会社东芝;东芝电子元件及存储装置株式会社 |
| 主分类号： | H01L25/18 | 分类号： | H01L25/18;H01L29/778;H01L29/78 |
| 代理公司： | 永新专利商标代理有限公司 72002 | 代理人： | 刘英华 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 实施方式的半导体装置具备：第一氮化物半导体层，具有第一面和第二面；第一源极电极，设置于第一面；第一漏极电极，设置于第一面；第一栅极电极，设置于第一源极电极与第一漏极电极之间的第一面；第二氮化物半导体层，设置于第二面，具有第三面和第四面，与第一氮化物半导体层相比带隙小，该第三面与第二面对置；以及第一半导体器件，设置于第四面，具有为第四面以下的大小且与第四面对置的第五面，包含与第二氮化物半导体层相比带隙的第一半导体材料。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 | ||
【主权项】：
暂无信息
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