[发明专利]半导体装置在审
| 申请号： | 202110878875.1 | 申请日： | 2021-08-02 |
| 公开（公告）号： | CN115117170A | 公开（公告）日： | 2022-09-27 |
| 发明（设计）人： | 可知刚 | 申请（专利权）人： | 株式会社东芝;东芝电子元件及存储装置株式会社 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/423 |
| 代理公司： | 永新专利商标代理有限公司 72002 | 代理人： | 刘英华 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 实施方式的半导体装置具有第一～第四电极、半导体部分、第一绝缘膜和第二绝缘膜。所述半导体部分具有第一～第三半导体层。第一导电型的所述第一半导体层设置于所述第一电极的上方，第二导电型的所述第二半导体层设置于所述第一半导体层的一部分的上方，第一导电型的所述第三半导体层设置于所述第二半导体层的上方。所述第二电极与所述第三半导体层接触，并与所述第二半导体层、所述第三半导体层及所述第二电极分离。所述第一绝缘膜覆盖所述第三电极。所述第四电极与所述第二电极连接，与所述第一半导体层及所述第三电极分离。所述第二绝缘膜设置于所述第四电极的侧面上，隔着空隙与所述第一半导体层对置，厚度随着朝向所述第一方向而变大。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 | ||
【主权项】：
暂无信息
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于株式会社东芝;东芝电子元件及存储装置株式会社，未经株式会社东芝;东芝电子元件及存储装置株式会社许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/202110878875.1/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
