[发明专利]NOR型存储器件及其制造方法及包括存储器件的电子设备在审
| 申请号： | 202110883350.7 | 申请日： | 2021-08-02 |
| 公开（公告）号： | CN113707666A | 公开（公告）日： | 2021-11-26 |
| 发明（设计）人： | 朱慧珑 | 申请（专利权）人： | 中国科学院微电子研究所 |
| 主分类号： | H01L27/11575 | 分类号： | H01L27/11575;H01L27/11582;H01L27/11573;H01L27/1157;H01L27/1159;H01L27/11592;H01L27/11595;H01L27/11597;G11C16/08 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人： | 倪斌 |
| 地址： | 100029 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 公开了一种NOR型存储器件及其制造方法及包括该NOR型存储器件的电子设备。根据实施例，该NOR型存储器件可以包括：存储器件层，包括第一源/漏区和第二源/漏区以及第一源/漏区与第二源/漏区之间的第一沟道区；竖直延伸以穿过存储器件层的第一栅堆叠，包括第一栅导体层和设置在第一栅导体层与存储器件层之间的存储功能层，在第一栅堆叠与存储器件层相交之处限定存储单元；存储器件层上的选择器件层，包括第三源/漏区和第四源/漏区以及第三源/漏区与第四源/漏区之间的第二沟道区；设置在第一栅堆叠上方的第二栅堆叠，竖直延伸以穿过选择器件层；以及连接部，将第三源/漏区电连接到第一栅导体层。 | ||
| 搜索关键词： | nor 存储 器件 及其 制造 方法 包括 电子设备 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
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