[发明专利]NOR型存储器件及其制造方法及包括存储器件的电子设备有效
| 申请号： | 202110883406.9 | 申请日： | 2021-08-02 |
| 公开（公告）号： | CN113629061B | 公开（公告）日： | 2023-10-13 |
| 发明（设计）人： | 朱慧珑 | 申请（专利权）人： | 中国科学院微电子研究所 |
| 主分类号： | H10B43/10 | 分类号： | H10B43/10;H10B43/30;H10B43/27;H10B43/35;H10B51/30;H10B51/20;G11C16/04 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人： | 倪斌 |
| 地址： | 100029 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 公开了一种NOR型存储器件及其制造方法及包括该NOR型存储器件的电子设备。根据实施例，该NOR型存储器件可以包括：在衬底上竖直延伸的第一栅堆叠，包括栅导体层和存储功能层；以及围绕第一栅堆叠的外周、沿第一栅堆叠的侧壁延伸的第一半导体层。存储功能层介于第一半导体层与栅导体层之间。第一半导体层包括在竖直方向上依次设置的第一源/漏区、第一沟道区和第二源/漏区。在第一栅堆叠与第一半导体层相交之处限定存储单元。该NOR型存储器件还包括围绕第一半导体层的第一沟道区的外周的导电屏蔽层以及介于第一半导体层的第一沟道区与导电屏蔽层之间的电介质层。 | ||
| 搜索关键词： | nor 存储 器件 及其 制造 方法 包括 电子设备 | ||
【主权项】：
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