[发明专利]低成本三维堆叠半导体组合件在审
| 申请号： | 202110885234.9 | 申请日： | 2021-08-03 |
| 公开（公告）号： | CN114068403A | 公开（公告）日： | 2022-02-18 |
| 发明（设计）人： | O·R·费伊;C·H·育 | 申请（专利权）人： | 美光科技公司 |
| 主分类号： | H01L21/768 | 分类号： | H01L21/768;H01L27/11551;H01L27/11578;H01L27/108 |
| 代理公司： | 北京律盟知识产权代理有限责任公司 11287 | 代理人： | 彭晓文 |
| 地址： | 美国爱*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本文公开一种低成本三维堆叠半导体组合件和相关联的方法。所述半导体装置封装组合件包含(1)基底组件，其具有前侧和背侧，所述基底组件具有在所述前侧处的第一金属化结构；(2)半导体装置封装，其具有第一侧、具有凹槽的第二侧及在所述第一侧处的第二金属化结构和暴露于所述第二侧处的凹槽中的接触区；(3)互连结构，其至少部分地位于所述半导体装置封装的所述第二侧处的所述凹槽中；及(4)热固性材料或结构，其在所述基底组件的所述前侧与所述半导体装置封装的所述第二侧之间。所述互连结构在所述热固性材料中且包含电耦合到彼此的离散导电粒子。 | ||
| 搜索关键词： | 低成本 三维 堆叠 半导体 组合 | ||
【主权项】：
暂无信息
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于美光科技公司，未经美光科技公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/202110885234.9/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
