[发明专利]基于金属辅助化学刻蚀的毫米波芯片腔体器件制备方法有效
| 申请号： | 202110887374.X | 申请日： | 2021-08-03 |
| 公开（公告）号： | CN113629374B | 公开（公告）日： | 2022-03-25 |
| 发明（设计）人： | 黄文;孙颜;周玉成;桑磊 | 申请（专利权）人： | 合肥工业大学 |
| 主分类号： | H01P11/00 | 分类号： | H01P11/00;H01P1/207 |
| 代理公司： | 合肥金安专利事务所(普通合伙企业) 34114 | 代理人： | 金惠贞 |
| 地址： | 230009 安*** | 国省代码： | 安徽;34 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种基于金属辅助化学刻蚀的毫米波芯片腔体器件的制备方法，属于纳米器件技术领域。采用SOI晶片，制备操作步骤：（1）采用电感耦合等离子体刻蚀方法，在顶层硅层上制作图案轮廓；并溅射金；（2）双面曝光对准，在底层硅上制作对准标记凹槽；（3）利用电子束光刻技术在底层硅层上光刻出网格栅状图案，并镀金属层；采用金属辅助化学刻蚀方法在网格栅状图案上刻蚀，在底层硅层上形成一个大面积的腔体结构；（4）在大面积的腔体结构内溅射金属层，得到毫米波芯片腔体件。毫米波芯片腔体件的底层硅层上的腔体结构用于毫米波矩形波导、腔体滤波器无源器件的制作，顶层硅层用于有源器件的制作。本发明制作出的腔体内壁光滑、垂直度高。 | ||
| 搜索关键词： | 基于 金属 辅助 化学 刻蚀 毫米波 芯片 器件 制备 方法 | ||
【主权项】：
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