[发明专利]一种制备CsPbBr3有效

专利信息
申请号: 202110890842.9 申请日: 2021-08-04
公开(公告)号: CN113668054B 公开(公告)日: 2023-01-10
发明(设计)人: 刘勇;董顺洪 申请(专利权)人: 武汉理工大学
主分类号: C30B29/12 分类号: C30B29/12;C30B25/02;C30B25/16
代理公司: 武汉智嘉联合知识产权代理事务所(普通合伙) 42231 代理人: 孙迪
地址: 430070 湖*** 国省代码: 湖北;42
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摘要: 发明公开一种制备CsPbBr3单晶的方法,属于新型纳米材料技术领域。一种制备CsPbBr3单晶的方法,包括以下步骤:S1、将CsBr和PbBr2混合并研磨均匀得到混合物;S2、将混合物放入双温区管式炉的上游区,将SiO2/Si基片放入双温区管式炉的下游区,并向双温区管式炉中通入惰性气体;所述混合物在双温区管式炉中反应得到所述CsPbBr3单晶;其中,所述上游区的温度为580~670℃,所述下游区的温度为300~380℃。该方法制得的CsPbBr3单晶的分散度高,而且形状完整,晶格缺陷密度小。
搜索关键词: 一种 制备 cspbbr base sub
【主权项】:
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