[发明专利]GaN基增强型功率晶体管在审
| 申请号： | 202110893839.2 | 申请日： | 2021-08-04 |
| 公开（公告）号： | CN115939200A | 公开（公告）日： | 2023-04-07 |
| 发明（设计）人： | 黄森;蒋其梦;冯超;郭富强;王鑫华;魏珂;刘新宇 | 申请（专利权）人： | 中国科学院微电子研究所 |
| 主分类号： | H01L29/778 | 分类号： | H01L29/778;H01L29/06 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人： | 任岩 |
| 地址： | 100029 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本公开提供了一种GaN基增强型功率晶体管，包括：衬底；缓冲层，形成于衬底之上；薄势垒层，形成于缓冲层之上，与缓冲层形成异质结；盖帽层，形成于薄势垒层之上；钝化层，形成于薄势垒层之上，用于恢复栅极区域之外的异质结中的二维电子气；源极和漏极分别形成于缓冲层的未设置有钝化层、薄势垒层和盖帽层的两端表面之上；栅极，形成于盖帽层之上。本公开利用薄势垒层异质结实现栅下二维电子气的本征耗尽，利用盖帽层与薄势垒层的负极化电荷进一步耗尽栅下异质结沟道中的二维电子气，从而实现高阈值的GaN基增强型功率晶体管，显著改善了P型栅极GaN基增强型功率晶体管的阈值稳定性。 | ||
| 搜索关键词： | gan 增强 功率 晶体管 | ||
【主权项】：
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