[发明专利]具有垂直转移栅极和正方形复位以及源极跟随器布局的图像传感器在审
申请号: | 202110896794.4 | 申请日: | 2021-08-05 |
公开(公告)号: | CN114078891A | 公开(公告)日: | 2022-02-22 |
发明(设计)人: | 臧辉;陈刚 | 申请(专利权)人: | 豪威科技股份有限公司 |
主分类号: | H01L27/146 | 分类号: | H01L27/146;H04N5/374 |
代理公司: | 北京清亦华知识产权代理事务所(普通合伙) 11201 | 代理人: | 宋融冰 |
地址: | 美国加利*** | 国省代码: | 暂无信息 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | CMOS图像传感器具有光电二极管单元的阵列,每个光电二极管单元包括通过垂直转移栅极晶体管耦接到单个浮动节点扩散的四个掩埋光电二极管。每个单元还具有耦接到浮动节点扩散的复位晶体管、具有耦接到浮动节点扩散的栅极的源极跟随器晶体管以及耦接到源极跟随器晶体管的读取选择晶体管。复位晶体管、源极跟随器晶体管和读取选择晶体管主要具有与沿图像传感器的光电二极管阵列的光电二极管的整个水平行延伸的线的夹角大于30度且小于60度的栅极和形状边缘,以及在光电二极管阵列的光电二极管上方垂直地形成,并且在与光电二极管阵列的光电二极管相同的集成电路中。 | ||
搜索关键词: | 具有 垂直 转移 栅极 正方形 复位 以及 跟随 布局 图像传感器 | ||
【主权项】:
暂无信息
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的