[发明专利]制造直拉硅晶片的方法在审
| 申请号： | 202110901543.0 | 申请日： | 2021-08-06 |
| 公开（公告）号： | CN114059149A | 公开（公告）日： | 2022-02-18 |
| 发明（设计）人： | H-J·舒尔茨;H·奥夫纳 | 申请（专利权）人： | 英飞凌科技股份有限公司 |
| 主分类号： | C30B15/00 | 分类号： | C30B15/00;C30B29/06 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人： | 刘书航;刘春元 |
| 地址： | 德国瑙伊比*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 提出了一种制造直拉硅晶片(130)的方法。方法包括在提取时间段内从包括主要为n型的掺杂剂的硅熔体(110)中提取直拉硅晶锭(112)。方法进一步包括通过控制由硼源向硅熔体(110)的硼供给来在至少部分提取时间段内将硼引入到直拉硅晶锭(112)中。方法进一步包括确定沿着直拉硅晶锭(112)的晶轴(x)的特定电阻率、硼浓度和碳浓度。方法进一步包括将直拉硅晶锭(112)或直拉硅晶锭(112)的区段划分成直拉硅晶片(130)。方法进一步包括取决于特定电阻率、硼浓度和碳浓度中的至少两个来确定至少两组(1341,1342)直拉硅晶片(130)。 | ||
| 搜索关键词： | 制造 直拉硅 晶片 方法 | ||
【主权项】：
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