[发明专利]一种单晶硅片的制绒方法及应用在审
| 申请号： | 202110901704.6 | 申请日： | 2021-08-06 |
| 公开（公告）号： | CN113529174A | 公开（公告）日： | 2021-10-22 |
| 发明（设计）人： | 张丽娟;钱恩亮;周树伟;周天翔;章圆圆;陈培良;符黎明 | 申请（专利权）人： | 常州时创能源股份有限公司 |
| 主分类号： | C30B33/10 | 分类号： | C30B33/10;C30B29/06;H01L31/18;H01L31/0236 |
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| 地址： | 213300 江苏*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种单晶硅片的制绒方法，包括如下步骤：对单晶硅片进行第一次制绒，在硅片表面形成类金字塔结构；对单晶硅片进行第N次制绒，在硅片表面的类金字塔结构上形成细微纳米结构，其中N≥2；第一次制绒的制绒液包括第一制绒添加剂和第一碱溶液的混合溶液，第N次制绒的制绒液包括第二制绒添加剂和第二碱溶液的混合溶液，所述第一制绒添加剂和所述第二制绒添加剂的组分可相同或不相同。本发明对单晶硅片采用多次制绒工艺，且通过调整多次制绒工艺中所用的制绒添加剂的组分，实现了单晶硅片在制绒周期内的绒面特征塔高与塔基几乎无明显变化，反射率波动值小，绒面稳定性好。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 单晶硅 方法 应用 | ||
【主权项】：
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