[发明专利]一种确定硅片导电类型的方法在审

专利信息
申请号: 202110902930.6 申请日: 2021-08-06
公开(公告)号: CN113655094A 公开(公告)日: 2021-11-16
发明(设计)人: 魏星;李名浩;薛忠营 申请(专利权)人: 上海新昇半导体科技有限公司;中国科学院上海微系统与信息技术研究所
主分类号: G01N27/04 分类号: G01N27/04;G01R27/02
代理公司: 北京磐华捷成知识产权代理有限公司 11851 代理人: 谢栒
地址: 201306 上海市浦东新区中国(*** 国省代码: 上海;31
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摘要: 本申请公开了一种确定硅片导电类型的方法。所述方法包括:测量所述硅片的电阻率,以得到第一电阻率;将所述硅片在空气中放置预设时间;放置预设时间之后再次测量所述硅片的电阻率,以得到第二电阻率;通过比较所述第一电阻率和所述第二电阻率,判断所述硅片的导电类型。所述方法对于高电阻率(高于500ohm‑cm)可以快速准确的判断硅片导电类型,测试结果准确,操作简单,对设备要求低,成本低。
搜索关键词: 一种 确定 硅片 导电 类型 方法
【主权项】:
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