[发明专利]蒸发式PECVD镀膜装置在审
申请号: | 202110905745.2 | 申请日: | 2021-08-06 |
公开(公告)号: | CN113774361A | 公开(公告)日: | 2021-12-10 |
发明(设计)人: | 张运祥;张勤芳;王仲杰;陈霄;侯海军;戴海璐;刘超 | 申请(专利权)人: | 盐城工学院 |
主分类号: | C23C16/50 | 分类号: | C23C16/50;C23C16/54;C23C16/40 |
代理公司: | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人: | 孙蕾 |
地址: | 224051 *** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | 本发明公开了一种蒸发式PECVD镀膜装置,其中蒸发式PECVD镀膜装置包括:衬底、衬底加热单元、蒸发源、加热保温单元、气体进口单元、等离子体辉光区,其中,衬底,用于沉积镀膜样品;衬底加热单元,设置于衬底的底部,用于对衬底进行加热;蒸发源,设置于衬底一侧,蒸发源内部放置有金属盐,对金属盐进行热蒸发,生成金属盐气体;加热保温单元,设置于衬底上方,用于对金属盐气体进行加热并保温;气体进口单元,与加热保温单元相连通,用于通入反应气体及惰性气体;等离子体辉光区,形成于衬底和加热保温单元之间,用于产生等离子态的自由基团和活性原子。 | ||
搜索关键词: | 蒸发 pecvd 镀膜 装置 | ||
【主权项】:
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C23 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面化学处理;金属材料的扩散处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆;金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23C 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆,例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上,例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆,例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的
C23C 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆,例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上,例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆,例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的