[发明专利]混合成像结构有效

专利信息
申请号: 202110910810.0 申请日: 2021-08-10
公开(公告)号: CN113363275B 公开(公告)日: 2021-11-16
发明(设计)人: 刘伟;郭得福;王鹏;段程鹏;马仁旺;欧秦伟 申请(专利权)人: 西安中科立德红外科技有限公司
主分类号: H01L27/146 分类号: H01L27/146;G01J1/42
代理公司: 北京同立钧成知识产权代理有限公司 11205 代理人: 张娜;刘芳
地址: 710117 陕西省西安市高*** 国省代码: 陕西;61
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摘要: 本申请提供一种混合成像结构,涉及微电子技术领域,用于解决现有的混合成像芯片结构在衬底上布局不合理,导致衬底的整体尺寸较大,增加成本的技术问题,该混合成像结构包括第一互连结构,第一互连结构位于衬底的第一侧的表面上;可见光探测器件,可见光探测器件位于容置腔内,且靠近第二侧设置,可见光探测器件与第一互连结构电性连接;可见光探测器件包括相互连接的至少一个N型掺杂区和至少两个P型掺杂区,至少一个N型掺杂区位于至少两个P型掺杂区之间;多个垂直电极,多个垂直电极在第一互连结构远离衬底的一侧间隔排布。本申请能够使衬底上的结构布局更合理,缩小衬底的整体尺寸,降低成本。
搜索关键词: 混合 成像 结构
【主权项】:
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