[发明专利]混合成像结构有效
申请号: | 202110910810.0 | 申请日: | 2021-08-10 |
公开(公告)号: | CN113363275B | 公开(公告)日: | 2021-11-16 |
发明(设计)人: | 刘伟;郭得福;王鹏;段程鹏;马仁旺;欧秦伟 | 申请(专利权)人: | 西安中科立德红外科技有限公司 |
主分类号: | H01L27/146 | 分类号: | H01L27/146;G01J1/42 |
代理公司: | 北京同立钧成知识产权代理有限公司 11205 | 代理人: | 张娜;刘芳 |
地址: | 710117 陕西省西安市高*** | 国省代码: | 陕西;61 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 本申请提供一种混合成像结构,涉及微电子技术领域,用于解决现有的混合成像芯片结构在衬底上布局不合理,导致衬底的整体尺寸较大,增加成本的技术问题,该混合成像结构包括第一互连结构,第一互连结构位于衬底的第一侧的表面上;可见光探测器件,可见光探测器件位于容置腔内,且靠近第二侧设置,可见光探测器件与第一互连结构电性连接;可见光探测器件包括相互连接的至少一个N型掺杂区和至少两个P型掺杂区,至少一个N型掺杂区位于至少两个P型掺杂区之间;多个垂直电极,多个垂直电极在第一互连结构远离衬底的一侧间隔排布。本申请能够使衬底上的结构布局更合理,缩小衬底的整体尺寸,降低成本。 | ||
搜索关键词: | 混合 成像 结构 | ||
【主权项】:
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的