[发明专利]套刻偏差的量测方法在审
| 申请号： | 202110913637.X | 申请日： | 2021-08-10 |
| 公开（公告）号： | CN115704852A | 公开（公告）日： | 2023-02-17 |
| 发明（设计）人： | 张海;杨晓松;吴怡旻 | 申请（专利权）人： | 中芯南方集成电路制造有限公司 |
| 主分类号： | G01R31/26 | 分类号： | G01R31/26 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 徐文欣 |
| 地址： | 201203 上海市浦东新区中国*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 一种套刻偏差的量测方法，包括：提供若干批次待测晶圆；在若干批次待测晶圆中获取若干样品晶圆；采用第一光照剂量对样品晶圆进行第一套刻偏差量测，获取第一量测值组；采用第二光照剂量对样品晶圆进行第二套刻偏差量测，获取第二量测值组，所述第一光照剂量高于所述第二光照剂量；获取所述第一量测值组和所述第二量测值组的平均偏差值组；在所述若干批次待测晶圆中获取实测晶圆；采用所述第二光照剂量或所述第一光照剂量对实测晶圆的所有区域点进行第三套刻偏差量测，获取实测晶圆的第三量测值组；采用所述平均偏差值组对所述第三量测值组点对点进行校准，获取实测晶圆的套刻偏差值组。从而，在保证量测精度的同时可以提高量测效率。 | ||
| 搜索关键词： | 偏差 方法 | ||
【主权项】：
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