[发明专利]栅极寄生电容建模方法在审
| 申请号： | 202110913952.2 | 申请日： | 2021-08-10 |
| 公开（公告）号： | CN113642277A | 公开（公告）日： | 2021-11-12 |
| 发明（设计）人： | 陈静;葛浩;吕迎欢;谢甜甜;王青 | 申请（专利权）人： | 中国科学院上海微系统与信息技术研究所 |
| 主分类号： | G06F30/33 | 分类号： | G06F30/33 |
| 代理公司： | 上海盈盛知识产权代理事务所(普通合伙) 31294 | 代理人： | 孙佳胤 |
| 地址： | 200050 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种栅极寄生电容建模方法，包括如下步骤：根据栅极面积和周长提取栅极电容最低点的电容分量；提取电容变化量；提取电容变化斜率；提取偏移量；反馈验证。本发明针对栅极寄生电容的物理特性结合数学公式建立细致提取流程，提供可靠的器件建模方法和模型。 | ||
| 搜索关键词： | 栅极 寄生 电容 建模 方法 | ||
【主权项】：
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