[发明专利]一种异质结注入的沟槽型GaN绝缘栅双极型晶体管有效
| 申请号： | 202110914932.7 | 申请日： | 2021-08-10 |
| 公开（公告）号： | CN113611738B | 公开（公告）日： | 2023-08-29 |
| 发明（设计）人： | 黄义;王礼祥;秦海峰;许峰;陈伟中;王琦;张红升 | 申请（专利权）人： | 重庆邮电大学 |
| 主分类号： | H01L29/20 | 分类号： | H01L29/20;H01L29/06;H01L29/739 |
| 代理公司： | 北京同恒源知识产权代理有限公司 11275 | 代理人： | 赵荣之 |
| 地址： | 400065 *** | 国省代码： | 重庆;50 |
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| 摘要： |
本发明涉及一种异质结注入的沟槽型GaN绝缘栅双极型晶体管，属于功率半导体器件领域。该晶体管呈左右对称结构，左半边结构包括P+集电极、N‑漂移区、P‑沟道区、N+发射极衬底、绝缘介质层、栅极金属接触区、集电极金属接触区、发射极金属接触区Ⅰ、发射极金属接触区Ⅱ和Al组分渐变区。本发明基于N+型GaN衬底材料上，采用从上至下为P/N/P/N的沟槽型IGBT垂直器件结构，通过较低掺杂的P+AlGaN集电极层就可以实现P+AlGaN/GaN较高的空穴注入比，同时，还在P+AlGaN/GaN异质结界面处引入x渐变的Al |
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| 搜索关键词： | 一种 异质结 注入 沟槽 gan 绝缘 栅双极型 晶体管 | ||
【主权项】：
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