[发明专利]外延结构及其制作方法、LED器件有效

专利信息
申请号: 202110915008.0 申请日: 2021-08-10
公开(公告)号: CN114038959B 公开(公告)日: 2023-04-28
发明(设计)人: 谷鹏军;刘勇兴 申请(专利权)人: 重庆康佳光电技术研究院有限公司
主分类号: H01L33/06 分类号: H01L33/06;H01L33/00;H01L33/10;H01L33/14;H01L33/30
代理公司: 广州三环专利商标代理有限公司 44202 代理人: 熊永强
地址: 402760 重庆市璧*** 国省代码: 重庆;50
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摘要: 本申请涉及一种外延结构及其制作方法、LED器件,外延结构包括沿生长方向依次层叠设置的N型半导体层、MQW有源层和P型半导体层;MQW有源层包括沿生长方向依次层叠的前MQW有源层和后MQW有源层;前MQW有源层包括至少两组交替层叠设置的第一量子垒层和第一量子阱层;后MQW有源层包括至少两组交替层叠设置的第二量子垒层和第二量子阱层;其中,每一层第二量子阱层中的Al组分的含量沿生长方向逐渐增加,每一层第二量子阱层中的Ga组分的含量沿生长方向逐渐减少,可增加电子在阱中停留时间,从而阻挡电子从后MQW有源层中溢出,提高电子与空穴的复合几率,进而提高发光二极管的发光效率,进而提高发光亮度。
搜索关键词: 外延 结构 及其 制作方法 led 器件
【主权项】:
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