[发明专利]用于半导体处理的晶片定位基座在审
申请号: | 202110916287.2 | 申请日: | 2017-09-05 |
公开(公告)号: | CN113846314A | 公开(公告)日: | 2021-12-28 |
发明(设计)人: | 保罗·孔科拉;卡尔·利瑟;伊斯瓦·斯里尼瓦桑 | 申请(专利权)人: | 朗姆研究公司 |
主分类号: | C23C16/455 | 分类号: | C23C16/455;C23C16/458;C23C16/50;H01L21/02;H01L21/68;H01L21/683;H01L21/687 |
代理公司: | 上海胜康律师事务所 31263 | 代理人: | 李献忠;张华 |
地址: | 美国加利*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | 一种组件在用于在晶片上沉积膜的处理室中使用并且包括从中心轴延伸的基座。致动器配置用于控制基座的运动。中心轴在致动器和基座之间延伸,中心轴配置成沿着中心轴线移动基座。升降垫被配置为搁置在基座上并且具有垫顶表面,该垫顶表面被配置为支撑放置在其上的晶片。垫轴在致动器和升降垫之间延伸并控制升降垫的运动。垫轴定位在中心轴内,并且被配置成当基座处于向上位置时将升降垫与基座顶表面分离处理旋转位移。垫轴配置成在第一和第二角度方位之间相对于基座顶表面旋转。 | ||
搜索关键词: | 用于 半导体 处理 晶片 定位 基座 | ||
【主权项】:
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C23 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面化学处理;金属材料的扩散处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆;金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23C 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆,例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上,例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆,例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的
C23C 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆,例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上,例如在随后通过浸蚀除去的基体上
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C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的