[发明专利]一种体异质结有机场效应晶体管存储器及其制备方法

摘要

本发明公开了一种体异质结有机场效应晶体管存储器，自下到上依次包括：栅电极、栅绝缘层、电荷传输层、缓冲层、有机体异质结半导体层，有机体异质结半导体层上面分别沉淀有源极和漏极，有机体异质结半导体层包括n型半导体和p型半导体，n型半导体和p型半导体皆为有机材料，有机体异质结半导体层采用协同蒸发n型半导体和p型半导体制得。本发明可以制备工艺相较于多层结构有机异质结器件更为简单，通过电编程即可实现双极性存储特性，可以在空气中稳定运行，不受使用环境限制，有效的降低了制备成本。本发明还公开了制备上述体异质结有机场效应晶体管的方法。