[发明专利]一种用于深紫外微光探测的光敏晶体管的制备方法在审
申请号: | 202110918197.7 | 申请日: | 2021-08-11 |
公开(公告)号: | CN113644164A | 公开(公告)日: | 2021-11-12 |
发明(设计)人: | 高晓红;王森;孙玉轩;陶荟春;郭亮;杨帆;赵阳;迟耀丹;杨小天 | 申请(专利权)人: | 吉林建筑大学 |
主分类号: | H01L31/18 | 分类号: | H01L31/18;H01L31/113;H01L31/0296;H01L31/0216 |
代理公司: | 北京远大卓悦知识产权代理有限公司 11369 | 代理人: | 王雪娇 |
地址: | 130000 吉*** | 国省代码: | 吉林;22 |
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摘要: |
本发明公开了一种用于深紫外微光探测的光敏晶体管的制备方法,包括如下步骤:步骤一、对衬底进行预处理,并在所述衬底的上方蒸镀导电膜;步骤二、在所述导电膜上曝光显影出第一堆叠区域并在所述第一堆叠区域交替沉积两个周期的Al |
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搜索关键词: | 一种 用于 深紫 微光 探测 光敏 晶体管 制备 方法 | ||
【主权项】:
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的