[发明专利]一种用于2μm波段的中红外硅基电光调制器在审

专利信息
申请号: 202110920194.7 申请日: 2021-08-11
公开(公告)号: CN113687528A 公开(公告)日: 2021-11-23
发明(设计)人: 刘雨菲;孙嘉良;蔡艳;余明斌 申请(专利权)人: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
主分类号: G02F1/025 分类号: G02F1/025
代理公司: 上海泰能知识产权代理事务所(普通合伙) 31233 代理人: 黄志达
地址: 200050 *** 国省代码: 上海;31
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要: 发明涉及一种用于2μm波段的中红外硅基电光调制器,包括第一电子掺杂区域、第一空穴掺杂区域、第二空穴掺杂区域、第二电子掺杂区域;本发明可以实现在2μm波段下更低光损耗和更高调制效率的纯硅电光调制器。
搜索关键词: 一种 用于 波段 红外 电光 调制器
【主权项】:
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