[发明专利]一种用于2μm波段的中红外硅基电光调制器在审
申请号: | 202110920194.7 | 申请日: | 2021-08-11 |
公开(公告)号: | CN113687528A | 公开(公告)日: | 2021-11-23 |
发明(设计)人: | 刘雨菲;孙嘉良;蔡艳;余明斌 | 申请(专利权)人: | 中国科学院上海微系统与信息技术研究所 |
主分类号: | G02F1/025 | 分类号: | G02F1/025 |
代理公司: | 上海泰能知识产权代理事务所(普通合伙) 31233 | 代理人: | 黄志达 |
地址: | 200050 *** | 国省代码: | 上海;31 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 本发明涉及一种用于2μm波段的中红外硅基电光调制器,包括第一电子掺杂区域、第一空穴掺杂区域、第二空穴掺杂区域、第二电子掺杂区域;本发明可以实现在2μm波段下更低光损耗和更高调制效率的纯硅电光调制器。 | ||
搜索关键词: | 一种 用于 波段 红外 电光 调制器 | ||
【主权项】:
暂无信息
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于中国科学院上海微系统与信息技术研究所,未经中国科学院上海微系统与信息技术研究所许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/202110920194.7/,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:一种3D物理发泡鞋大底及其制造工艺
- 下一篇:一种快速消除高炉管道行程的方法