[发明专利]用于电容性成像传感器的低接地质量校正在审
| 申请号： | 202110924420.9 | 申请日： | 2021-08-12 |
| 公开（公告）号： | CN114077349A | 公开（公告）日： | 2022-02-22 |
| 发明（设计）人： | K·古达兹;D·霍奇;S·达塔罗 | 申请（专利权）人： | 辛纳普蒂克斯公司 |
| 主分类号： | G06F3/041 | 分类号： | G06F3/041;G06F3/044 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人： | 冯夏雨;李啸 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 一种电容性感测输入系统包括以传感器电极图案设置的传感器电极和处理系统。当在低接地质量（LGM）状况下时，与由主要对LGM状况敏感的传感器电极的第二选择性配对形成的LGM敏感电极对相比，由传感器电极的第一选择性配对形成的接近感测电极对对输入对象的存在具有增加的敏感度。处理系统被配置为在LGM状况下时，利用LGM敏感电极对的第一对、使用互电容感测来确定第一LGM项；获得由接近感测电极对的第一对形成的感测元件的第一跨电容感测信号；以及通过使用第一LGM项校正第一跨电容感测信号来生成LGM校正的跨电容感测信号。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 电容 成像 传感器 接地 质量 校正 | ||
【主权项】：
暂无信息
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于辛纳普蒂克斯公司，未经辛纳普蒂克斯公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/202110924420.9/，转载请声明来源钻瓜专利网。
