[发明专利]非易失性半导体存储装置及其动作方法在审
| 申请号： | 202110929401.5 | 申请日： | 2021-08-13 |
| 公开（公告）号： | CN114944183A | 公开（公告）日： | 2022-08-26 |
| 发明（设计）人： | 小松幸生 | 申请（专利权）人： | 铠侠股份有限公司 |
| 主分类号： | G11C16/08 | 分类号： | G11C16/08;G11C29/02;G11C29/12 |
| 代理公司： | 永新专利商标代理有限公司 72002 | 代理人： | 牛玉婷 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 实施方式提供非易失性半导体存储装置，其基于多值数据，将包含坏区块的非选择区块设为能够使用，从而提高了存储单元阵列的良品率。实施方式的非易失性半导体存储装置具备存储单元阵列和行解码器，存储单元阵列具有多个选择区块与多个非选择区块，行解码器具有对选择区块或者非选择区块进行切换的区块解码器。区块解码器基于多值数据，在判断为是坏区块的情况下，切换为非选择区块，在判断为不是坏区块的情况下，切换为选择区块。此外，区块解码器具备坏区块标志电路，该坏区块标志电路具有存储多值数据的多个锁存电路。 | ||
| 搜索关键词： | 非易失性 半导体 存储 装置 及其 动作 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
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