[发明专利]存储装置及存储装置的控制方法在审
| 申请号： | 202110930286.3 | 申请日： | 2021-08-13 |
| 公开（公告）号： | CN114842888A | 公开（公告）日： | 2022-08-02 |
| 发明（设计）人： | 荒井史隆 | 申请（专利权）人： | 铠侠股份有限公司 |
| 主分类号： | G11C11/00 | 分类号： | G11C11/00;G11C16/06;G11C16/34 |
| 代理公司： | 北京律盟知识产权代理有限责任公司 11287 | 代理人： | 杨林勳 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 实施方式提供一种提升存储装置品质的存储装置及存储装置的控制方法。实施方式的存储装置包含：第1及第2积层体(700)，沿与衬底(80)的表面平行的第2方向排列，且分别包含沿与衬底(80)的表面垂直的第1方向排列的第1半导体层(70)；字线(50)，覆盖积层体(700)；第2及第3半导体层(300a)，在第1方向上，分别设置于第1及第2积层体(700)的上方；存储单元(MC)，设置在第1半导体层(70)与字线(50)之间；第2半导体层上的第1晶体管(TRn)；及第3半导体层上的第2晶体管。第1及第2积层体(700)在第2方向上以第1间距(Da)排列，第1及第2半导体层(300a)在第2方向上以第2间距(D1)排列，且第2间距(D1)等于第1间距(Da)。 | ||
| 搜索关键词： | 存储 装置 控制 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
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