[发明专利]耦合强度可调的量子比特结构有效
| 申请号： | 202110930931.1 | 申请日： | 2021-08-13 |
| 公开（公告）号： | CN113705820B | 公开（公告）日： | 2023-07-25 |
| 发明（设计）人： | 相忠诚;宋小会;郭学仪;宋鹏涛;王战;郑东宁 | 申请（专利权）人： | 中国科学院物理研究所 |
| 主分类号： | G06N10/40 | 分类号： | G06N10/40 |
| 代理公司： | 北京泛华伟业知识产权代理有限公司 11280 | 代理人： | 王勇 |
| 地址： | 100190 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 提供一种耦合强度可调的量子比特结构，其包括：第一量子比特、第二量子比特以及位于所述第一量子比特与所述第二量子比特之间的可调耦合器；所述第一量子比特和所述第二量子比特分别电容耦合至所述可调耦合器，所述可调耦合器控制所述第一量子比特和所述第二量子比特之间的耦合系数；以及其中，所述第一量子比特和所述第二量子比特是transmon的形式，所述可调耦合器是xmon的形式。 | ||
| 搜索关键词： | 耦合 强度 可调 量子 比特 结构 | ||
【主权项】：
暂无信息
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