[发明专利]一种基于CMOS结构的宽带高线性低噪声放大器电路在审
| 申请号： | 202110933457.8 | 申请日： | 2021-08-14 |
| 公开（公告）号： | CN113472298A | 公开（公告）日： | 2021-10-01 |
| 发明（设计）人： | 李烁星;张萌;胡彦胜;陈自然 | 申请（专利权）人： | 航天科工通信技术研究院有限责任公司 |
| 主分类号： | H03F1/26 | 分类号： | H03F1/26;H03F1/32;H03F1/48;H03F1/56;H03F3/193;H03F3/217 |
| 代理公司： | 南京钟山专利代理有限公司 32252 | 代理人： | 张明浩 |
| 地址： | 610051 四川省成*** | 国省代码： | 四川;51 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种基于CMOS结构的宽带高线性低噪声放大器电路，其特征是：为由输入级、中间级与输出级组成的三级级联结构，其中，输入级采用二级级联共栅结构，用于实现射频宽带匹配及低噪声放大功能；中间级采用分布式共源放大器结构，用于实现信号的宽带延展与信号放大，输出级采用功率放大器设计结构，用于实现射频信号的输出匹配及功率驱动功能。本发明实现了在宽频带500MHz~2.5GHz频率范围内宽带高线性工作，性能良好，实现基于CMOS结构的宽带高线性低噪声放大器，可实现后续整个系统的单片集成。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 基于 cmos 结构 宽带 线性 低噪声放大器 电路 | ||
【主权项】：
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