[发明专利]应用于NMOS管的栅极电路、开关电源电路以及充电器在审

专利信息
申请号: 202110937975.7 申请日: 2021-08-16
公开(公告)号: CN113676024A 公开(公告)日: 2021-11-19
发明(设计)人: 方洪福 申请(专利权)人: 深圳天狼芯半导体有限公司
主分类号: H02M1/08 分类号: H02M1/08;H02M3/335;H02M7/04;H02M7/217;H02J7/02
代理公司: 深圳中一联合知识产权代理有限公司 44414 代理人: 阳方玉
地址: 518000 广东省*** 国省代码: 广东;44
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摘要: 本申请属于电源技术领域,提供了一种应用于NMOS管的栅极电路、开关电源电路以及充电器,栅极电路包括缓冲模块以及PNP三极管模块。PNP三极管模块的发射极与缓冲模块的第一端共接于NMOS管的栅极;PNP三极管模块的基极与缓冲模块的第二端共接,用于接收驱动信号,PNP三极管模块的集电极接地,通过缓冲模块降低NMOS管开启时LC振荡从而降低NMOS管的开启损耗,在NMOS管关闭时通过PNP三极管开启能快速将NMOS管的电压泄放,降低NMOS管的关闭损耗。
搜索关键词: 应用于 nmos 栅极 电路 开关电源 以及 充电器
【主权项】:
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