[发明专利]半导体器件的制造方法在审
| 申请号： | 202110939157.0 | 申请日： | 2021-08-16 |
| 公开（公告）号： | CN113675077A | 公开（公告）日： | 2021-11-19 |
| 发明（设计）人： | 耿武千;曹开玮;王同信;薛广杰 | 申请（专利权）人： | 武汉新芯集成电路制造有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/28 | 分类号： | H01L21/28;H01L49/02 |
| 代理公司： | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人： | 田婷 |
| 地址： | 430205 湖北*** | 国省代码： | 湖北;42 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明提供了一种半导体器件的制造方法，包括：提供一衬底，包括第一图形区和第二图形区，所述衬底上覆盖有膜层结构，且所述第二图形区上的膜层结构中形成有凹陷，所述凹陷的深度超出预设规格；形成阻挡层覆盖所述凹陷，所述阻挡层的顶表面低于所述凹陷以外的膜层结构的顶表面；以及，采用化学机械研磨工艺研磨所述凹陷以外的膜层结构和所述凹陷表面的阻挡层，且对所述膜层结构的研磨速率大于对所述阻挡层的研磨速率，以使得研磨后的所述第一图形区和所述第二图形区上的膜层结构表面的高度差在预设规格内。本发明能够提高化学机械研磨工艺后的不同密度图形表面的平整性，进而提高半导体器件的性能。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 制造 方法 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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