[发明专利]一种多孔硅碳或锗碳材料的制备方法和用途有效

专利信息
申请号: 202110939563.7 申请日: 2021-08-16
公开(公告)号: CN113809314B 公开(公告)日: 2023-01-31
发明(设计)人: 夏敏;管丹丹 申请(专利权)人: 北京科技大学
主分类号: H01M4/38 分类号: H01M4/38;H01M4/62;H01M10/0525;C01B32/05;C01B33/021
代理公司: 北京市广友专利事务所有限责任公司 11237 代理人: 张仲波
地址: 100083*** 国省代码: 北京;11
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摘要: 发明公开了一种多孔硅碳或多孔锗碳材料的制备方法及用途,涉及材料学技术领域。所要解决的问题是提供了一种高比容量以及良好的循环稳定性和倍率性能的复合电极材料以及经济可行的制备工艺。以Li、Si、Zn或Li、Ge、Zn为原料,通过感应熔炼和气雾化制粉工艺形成锂锌硅或锂锌锗合金前驱体颗粒,后经碳包覆工艺形成锂锌硅碳或锂锌锗碳颗粒,再经过氧化环境脱合金化及酸洗过程最终形成多孔硅碳或多孔锗碳复合材料。将制备得到的多孔硅碳或多孔锗碳材料用于锂离子电池负极材料,可获得高比容量、良好循环性能和倍率性能,显示出制备得到的多孔硅碳或多孔锗碳材料是理想的锂离子电池负极材料,可以广泛用于便携式电子设备、电动汽车以及航空航天领域。
搜索关键词: 一种 多孔 材料 制备 方法 用途
【主权项】:
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