[发明专利]多孔二氧化硅的处理方法在审
| 申请号： | 202110945061.5 | 申请日： | 2021-08-17 |
| 公开（公告）号： | CN113578255A | 公开（公告）日： | 2021-11-02 |
| 发明（设计）人： | 黄盈祯;江姿幸;唐心陆;洪志斌 | 申请（专利权）人： | 日月光半导体制造股份有限公司 |
| 主分类号： | B01J20/10 | 分类号： | B01J20/10;C02F1/28;B01J20/30;C02F101/20 |
| 代理公司： | 北京植德律师事务所 11780 | 代理人： | 唐华东 |
| 地址： | 中国台湾高雄*** | 国省代码： | 台湾;71 |
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| 摘要： | 本公开涉及多孔二氧化硅的处理方法。该方法包括：将第一反应物和第二反应物加入多孔二氧化硅中，形成混合物，其中，第一反应物和第二反应物用于在多孔二氧化硅中添加特定的官能团；将混合物在预设温度下搅拌；将搅拌后的混合物以第一反应物洗涤后于预设温度下干燥，以形成成品。该方法能够在多孔二氧化硅中添加特定的官能团，从而用作工业中铜、镍等金属的吸附剂以及废水处理剂，将工业中的废弃物循环再利用于工业中，有利于节约资源、保护环境以及降低工业成本。 | ||
| 搜索关键词： | 多孔 二氧化硅 处理 方法 | ||
【主权项】：
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