[发明专利]使用多个错误控制操作的存储器数据校正在审
| 申请号： | 202110947433.8 | 申请日： | 2021-08-18 |
| 公开（公告）号： | CN114078547A | 公开（公告）日： | 2022-02-22 |
| 发明（设计）人： | 何德平;梁卿 | 申请（专利权）人： | 美光科技公司 |
| 主分类号： | G11C16/34 | 分类号： | G11C16/34 |
| 代理公司： | 北京律盟知识产权代理有限责任公司 11287 | 代理人： | 彭晓文 |
| 地址： | 美国爱*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本申请涉及使用多个错误控制操作的存储器数据校正。可接收单个命令以校正在由存储器阵列存储的数据中检测到的错误。可基于所述单个命令实施第一错误控制操作和第二错误控制操作。可使用一或多个不同参考电压读取所述数据对由所述存储器阵列存储的所述数据进行所述第一错误控制操作。可在进行所述第一错误控制操作之后确定所述错误仍在所述数据中。可接着对由所述存储器阵列存储的所述数据进行所述第二错误控制操作。所述第二错误控制操作可使用与所述存储器阵列的存储器单元相关联的一或多个电压分布。 | ||
| 搜索关键词： | 使用 错误 控制 操作 存储器 数据 校正 | ||
【主权项】：
暂无信息
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于美光科技公司，未经美光科技公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/202110947433.8/，转载请声明来源钻瓜专利网。
