[发明专利]半导体存储装置及散热用零件在审
申请号: | 202110947481.7 | 申请日: | 2021-08-18 |
公开(公告)号: | CN115113704A | 公开(公告)日: | 2022-09-27 |
发明(设计)人: | 长泽和也;森田伴明;船山贵久;石井宪弘;田中秀典 | 申请(专利权)人: | 铠侠股份有限公司 |
主分类号: | G06F1/20 | 分类号: | G06F1/20 |
代理公司: | 北京律盟知识产权代理有限责任公司 11287 | 代理人: | 杨林勳 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 暂无信息 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 实施方式提供一种能够实现散热性提高的半导体存储装置及散热用零件。实施方式的半导体存储装置具有衬底、发热零件、电子零件及散热零件。所述散热零件具有第1部件及第2部件。所述发热零件安装在所述衬底。所述电子零件的至少一部分位于在作为所述衬底的厚度方向的第1方向上与所述发热零件的至少一部分重叠的位置。所述第1部件包含在所述第1方向上位于所述发热零件与所述电子零件之间的第1部分,且由具有第1导热率的材料形成。所述第2部件包含在所述第1方向上位于所述第1部件与所述电子零件之间的部分,且由具有比所述第1导热率小的第2导热率的材料形成。 | ||
搜索关键词: | 半导体 存储 装置 散热 零件 | ||
【主权项】:
暂无信息
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于铠侠股份有限公司,未经铠侠股份有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/202110947481.7/,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:一种过氧羧酸金属化合物的预制组合物及应用
- 下一篇:半导体存储装置