[发明专利]一种钴/氧化钴/氧化钼原位电极的制备方法有效

专利信息
申请号: 202110950901.7 申请日: 2021-08-18
公开(公告)号: CN113584512B 公开(公告)日: 2022-08-05
发明(设计)人: 黄妞;李佳乐;骆禅;杨柳 申请(专利权)人: 三峡大学
主分类号: C25B11/031 分类号: C25B11/031;C25B11/052;C25B11/054;C25B11/091;C25B1/04;C25B1/01
代理公司: 宜昌市三峡专利事务所 42103 代理人: 成钢
地址: 443002 *** 国省代码: 湖北;42
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摘要: 发明提供了一种钴/氧化钴/氧化钼原位电极的制备方法。先配置含钴/钼的氧化物或者钴/钼的氢氧化物的前驱体溶液,将其附着于泡沫镍(NF)表面,再利用电化学还原的方法,在特定电解液中施加恒定电位进行还原,使泡沫镍(NF)表面附着的前驱体物质还原成钴并生成氧化钴和氧化钼。本发明技术方案所需原料无污染、成本低廉、操作简单、制备快捷等多个优点;所制备的氧化钼钝化钴/氧化钴原位电极作为析氢反应(HER)和析氧反应(OER)的双功能电催化剂表现出优异的催化活性,具有应用于电催化分解水的良好前景。
搜索关键词: 一种 氧化钴 氧化钼 原位 电极 制备 方法
【主权项】:
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